学术

功率半导体器件和集成电路国际会议（IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs，ISPSD）始于1987年，脱胎于IEDM，涵盖了功率半导体器件、功率集成电路、功率集成、工艺、封装和应用等功率半导体领域的所有方面，是功率器件领域最具影响力和规模最大的顶级国际学术会议，也是功率半导体器件和功率集成电路领域技术讨论的首要会议，被誉为功率半导体器件和集成电路领域的“奥林匹克会议”，是国内外产业界和学术界争相展示重要成果的舞台。近年来，全球功率半导体中心正在从欧美发达国家转向亚太地区，我国的影响力也明显提升。半导体技术进入后摩尔时代，器件尺寸微缩正面临严峻挑战，而以非尺寸依赖特色工艺的模拟功率器件与集成技术正成为我国芯片实现自主可控、服务产业的重要路径之一，也是我国微电子产业重镇无锡重点布局的成熟工艺产业方向。

针对AI算力能效、新能源功率电子等新兴产业的快速发展，学院黄伟教授团队围绕高性能模拟器件及异质异构等方向开展应用基础研究工作，与复旦大学、中电科、华润微等重点单位合作完成的四项研究成果被今年五月美国拉斯维加斯召开的ISPSD2026会议录用，其中GaN/Si CMOS单片异质集成研究为口头报告。四项研究工作简介如下：

1.GaN/Si CMOS异质集成与单片异构电路---Verification of Buck Converter via Optimized Monolithic Heterogeneous GaN/Si CMOS Process

本项工作是继去年在国内外首次报道6-8英寸20V 3μm GaN+Si CMOS单片异质集成的研究成果基础上ISPSD（2025），深入开展材料集成与工艺集成的协同设计研究工作。基于提取的平台化器件参数模型，创新地完成Buck降压异构电路验证，较好地满足AI人工智能对数据多样性的发展需求。

2.宇航级30V SGT低压功率器件与辐照加固研究--- Comprehensive Study of Distinct TID Mechanisms in Hardened SGT MOSFET under On /Off State and Annealing Recovery

本项目较系统开展抗辐照SGT器件在开/关状态的辐照失效研究，分别指出OFF态辐照电荷堆集的器件耐压降低机理和ON态辐照的DIBL辐照效应，并开展辐照加固研究，实验结果表明退火加固能有效改善功率器件的开关特性，降低开关功耗。抗辐射SGT功率器件与加固技术是课题组的重要研究方向之一，部分成果获得转化，已在型号工程中获得应用。

3.Ga₂O₃器件抗辐照及质子辐照机理研究--- Combined Degradation Mechanism of Leakage-Temperature of Highly Doped Epitaxial β-Ga₂O₃ SBDs During 5 MeV Proton Irradiation

针对质子辐照失效研究在深空探测的紧迫性，本项目创新地开展高浓度外延结构的β-Ga?O?质子辐照失效与机理研究，提出遂穿失效新机制（Trap-Assisted Tunneling），定量缺陷能级涨落，进而给出不同外延结构的β-Ga?O?器件辐照机理区别。

4.车规级BCD整套工艺--- 0.15 μm 120V Si P-epi BCD Technology on Latchup immunity with Lowest Ron nLDMOS，HV ESD of combined PNP Structure for Automotive Application

本项目针对车规级功率电子对稳定性、可靠性等苛刻场景需求，开展兼容0.15 μm 150VBCD整套工艺的高侧HV-LDMOS、HV ESD PNP等重要器件及其新机理研究，分别提出DTI深槽新结构、HV-ESD电流复合输运结构，以提升车规BCD工艺的耐干扰能力。

当前中国成熟制程芯片产能占全球约28%，此时竞争焦点正从产能供给转向产能价值与高端特色工艺。因此，在高校掌握特色工艺及其模拟器件的正向设计能力，对打破国外垄断，推动无锡半导体成熟工艺发展具有重要意义。

GaN/Si CMOS异质集成工艺与异构电路

抗辐照SGT功率器件及其ON态辐照特性

高浓度外延层β-Ga?O? SBD器件与质子辐照效应

车规级0.15 μm 120 V整套工艺与核心器件