集成电路学院微电子专业2023级本科生以第一作者身份在国际权威期刊发表两篇学术论文

发布日期:2026-04-28  文:高源阳、刘璋成  图:高源阳  来源:集成电路学院

近日,极速体育_必威体育$官网app网站集成电路学院2023级微电子科学与工程专业本科生高源阳,以第一作者身份接连在两大国际权威期刊发表学术论文,相关研究成果为高性能极端环境紫外探测器件研发提供了重要理论支撑与实验参考。

第一篇论文以《High-temperature performance of all-diamond solar-blind UV photodetector with BDD electrodes》为题刊发表于电子器件领域顶级期刊《IEEE Electron Device Letters》(中科院二区,影响因子4.5)。该研究系统测试分析了BDD电极全金刚石紫外探测器的宽温域性能表现,实验验证器件在450℃极端高温环境下仍保持稳定的光电响应特性:暗电流从室温下的5.65×10???A温和上升至450℃下的2.26×10???A,222 nm光照下响应度从0.07A/W上升至0.37A/W,紫外-可见光抑制比从2.86×10?提升至1.16×10?;动态响应上升时间仅从0.02s轻微增加至0.1s,下降时间稳定在0.03s,响应速度几乎不受高温影响。连续高温运行和长期跟踪测试结果均表明该器件具备优异的热稳定性,可适配深空探测、高温工业监测等复杂苛刻场景应用需求。

第二篇论文以《All-Diamond Transparent Solar-Blind UV Photodetector with Thin Boron-Doped Diamond Film as Electrodes》为题发表于光学领域权威期刊《Optics Letters》(中科院二区,影响因子3.6)。研究团队创新采用重硼掺杂金刚石(BDD)薄膜作为透明电极,制备的全金刚石结构日盲紫外光电探测器突破了传统金属电极固有的光学阻挡瓶颈,同时保持优异的界面特性。测试结果显示,在222nm光照、10V偏压条件下,该器件响应度达到49.8mA/W,较钛电极对照器件提升约一个数量级;紫外-可见光抑制比达4.54×104,光暗电流比达441.8;动态响应上升/下降时间分别为0.13s和0.03s,综合性能显著优于传统金属电极器件,为高性能日盲紫外探测技术发展提供了新的实现路径。

两项成果均由集成电路学院刘璋成副教授指导并担任通讯作者,得到国家重点研发计划(2024YFE0205100)、国家自然科学基金(62504093)、江苏省基础研究计划(BK20251591)、江苏省重点研发计划(BE2023007-1、BG2024019)以及中央高校基本科研业务费专项资金(JUSRP202501032)资助。

近年来,集成电路学院高度重视本科生创新能力培养,通过搭建本科生学术导师平台、开放科研实验资源、完善大创项目支持体系等举措,鼓励本科生早进入课题组、早参与前沿研究,推动本科生科研成果产出质量不断提升。

器件的热稳定性与动态响应性能

不同器件结构的光电探测性能对比

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编辑:缪慧玲

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