学术讲座

讲座时间：2026年1月8日（周四）13:30-14:30

讲座地点：集成电路学院A116

嘉宾简介：

叶堉，北京大学物理学院博雅特聘教授，国家青年基金A类获得者，入选海外高层次青年人才计划。2012年获北京大学凝聚态物理博士学位，随后在加州大学伯克利分校从事博士后研究，2016入职北京大学。主要研究凝聚态物理中光与物质相互作用和电输运特性，重点通过纳米尺度器件设计、低温强磁场光谱学和电输运测量，研究原子级薄材料、范德华异质结构和二维材料物性研究与器件物理，以第一作者或通讯作者身份在Science(2), Nature Nanotechnology(3), Nature Electronics, Nature Synthesis, Nature Photonics, Nature Communications(6), PRX/PRL等国际权威学术期刊上发表论文100余篇。成果入选“2021年度中国半导体十大研究进展”，曾获“中国十大新锐科技人物称号”、“2024年2DM青年科学家奖”等荣誉，被引用12000余次，h因子为53。

主要内容：

后摩尔时代的半导体电子技术不断寻求新的技术解决方案，以将器件尺寸缩小到原子级别，同时采用新型架构为半导体器件增加器件功能。二维半导体材料因其原子级厚度和可堆叠性，有望摆脱传统硅基半导体的微纳加工工艺，实现新的半导体芯片制造技术。通过了解从1T'到2H MoTe2的固-固相变机制，我们通过种子诱导的二维平面内外延技术实现了2H MoTe2单晶晶圆的可控制备。此外，二维半导体2H MoTe2晶圆的载流子类型、载流子浓度可精确调控，并可实现图案化掺杂。通过直接异质外延，掺杂的二维半导体晶圆可以在任意单晶衬底、或三维架构上异质集成，不受晶格匹配与平面基底的限制。精确的p、n掺杂和异质集成技术使层间互连集成电路的实现更近了一步。